存储器的比较

第一节、 各个存储器的比较

1. ROM(Read-Only Memory,Mask ROM)

A. 定义:是一种只能读出事先锁存数据的固态半导体存储器;

B. 特性:一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,并且

资料不会因为电源关闭而消失。

2. PROM或 FPROM (Programmable Read-Only Memory)

A. 定义:PROM或 FPROM指的是“可编程只读存储器”;

B. 特性:

(1). 只允许写入一次,所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Programming ROM,OTP-

ROM)。

(2). PROM在出厂时,存储的内容全为1,或者全为0;

3. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

A. 定义:电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专

用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用(Plug & Play)。

B. 用途:

(1). 常用在接口卡中,用来存放硬件设置数据;

(2). 常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁”上面;

C. 优点:

(1). EEPROM的擦除不需要借助其他设备,它是以电子信号来修改其内容,而且是以Byte为最小单位,

不必将资料全部洗掉;

(2). EEPROM在写入数据是,只需要利用一定的编程电压,只需要厂家提供专用刷新程序就可以轻而易

举的改写内容;

4. EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)

A. 定义:一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的(非挥发性);

B. 特性:

(1). 一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除;

(2). 封装顶部能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM;

(3). EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压

(VPP=12~24V,随不同的芯片型号而定);

(4). 擦除窗口必须使用黑色不干胶纸保持覆盖,以免受到周围紫外线照射,而使资料受损; 可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。

5. Flash Rom

A. 定义:闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的

存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NOR Flash 为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。

B. 特性:长寿命的非易失性存储器;

C. 用途:保存设置信息;

D. 分类:

(1). NOR: 更像是内存型的闪存,主要用来存储运行程序代码等,需反复的擦写和修改代码,成本高,容

量小,手机上面的内存主要是NOR型的闪存,因此手机上面的内存容量一般不大;

(2). NAND: 更像硬盘型的闪存,主要用来存储数据资料,成本低,容量大;

6. RAM (Random Access Memory)

A. 定义:随机存取存储器,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存);

B. 特性:

(1). 随意取出或存入数据;

(2). 断电数据消失;

(3). 对静电很敏感;

(4). 访问速度很快;

(5). 需要刷新,刷新是对电容充电的一个过程;

C. 分类:

(1). 静态随机存储器(SRAM):静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它

是靠触发器的自保功能存储数据的。

(2). 动态随机存储器(DRAM):动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单

元利用MOS管的栅极电容来存储信息,但由于栅极电容的容量很小,而漏电流又不可能绝对等于0,所以电荷保存的时间有限。


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